Parylene C
是一种很好的介电材料,具有非常低的介质损耗、是系列中*二个具有商业价值的成员。
高绝缘强度以及不随频率变化的介电常数。
它由相同的单体制成,只是将其中一个芳香烃氢原
它是所有Parylene中穿透能力的一种。
子用一个氯原子所取代了。
很好的自润滑性。摩擦系数为0.25.
综合了优良的介电性能和物理机械性能,对潮湿和
符合ISO-10993生物试验要求。
腐蚀性气体有的渗透性。
符合UDP第六类塑料的生物试验要求。
可以提供真正的无针孔覆形隔离。
Parylene的真空气相沉积工艺不仅和微电子集成电路制作工艺相似,而且所制备的Parylene涂层介电常数也低,还能用微电子加工工艺进行刻蚀制图,进行再金属化,因此Parylene不仅可用作防护材料,而且也能作为结构层中的介电材料和掩膜材料使用,经Parylene涂敷过的集成电路芯片,其25um细直径连接线,连接强度可提高5-10倍。
Parylene能在0.2um厚时就完全没有针孔,5um时就能耐1000V以上直流击穿电压
Parylene介电性能与温度的关系
Parylene还具有较好的介点性能。由于其高介电强度,它们可被制作成连续薄膜,并不含传统涂层所有的缺陷和填充剂;缺陷和填充剂都可以减少介电强度。
Parylene的特性之一是它们可以形成较薄的膜层。ParyleneN薄膜和C薄膜的直流击穿电压被确定与高聚物厚度有一定的关系。图3画出了相关的曲线。对于5个微米(0.0002inch)以下的薄膜,这方面的性能ParyleneC要强于ParyleneN。这些数据表明,两种Parylene材料都具有很好的绝缘性能,即使厚度小于1个微米。随着厚度的减小,单位厚度的击穿电压一般将升高。
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单位注册资金单位注册资金人民币 500 - 1000 万元。
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