Parylene的特性之一是它们可以形成较薄的膜层。ParyleneN薄膜和C薄膜的直流击穿电压被确定与高聚物厚度有一定的关系。图3画出了相关的曲线。对于5个微米(0.0002inch)以下的薄膜,这方面的性能ParyleneC要强于ParyleneN。这些数据表明,两种Parylene材料都具有很好的绝缘性能,即使厚度小于1个微米。随着厚度的减小,单位厚度的击穿电压一般将升高。
ParyleneC预计可以暴露在持续100℃的空气下10年(100,000小时)。在无氧的气体环境或者在真空状态下,Parylene估计可以暴露在220℃的温度下持续相同的时间。在所有的情况下,高温降低使用寿命。如果应用的环境要求接近或者**过了这个时间——温度——空气环境,建议用更接近实际使用环境的条件进行全部的测试。
Parylene可以经过韧化来提高击穿阻抗,提高硬度及改进摩擦阻抗。这是密度和结晶度提高的结果。
由于高的分子量(~500,000)和高的熔点以及结晶性,Parylene不能通过传统的方法例如挤压成形或铸造来形成。在175℃以下时,熔点**或其它溶剂的能力较低,所以不能通过浇铸来形成。
当Parylene高聚物由测试面板支撑时,冲击阻抗比较高。涂敷在“Q”钢板上的厚度为0.001英寸的ParylengC在Gardner落球撞击测试的结果在250in-lb的范围内。
磨耗性能(用Taber磨损机测试,使用1000克的“Calibrase”轮),ParyleneC为22.5,ParyleneN为8.8.比较而言,聚四氟乙烯为8.4,高冲击聚氯乙烯为24.4,环氧树脂为41.9,聚氨酯为59.5.
Parylene的真空气相沉积工艺不仅和微电子集成电路制作工艺相似,而且所制备的Parylene涂层介电常数也低,还能用微电子加工工艺进行刻蚀制图,进行再金属化,因此Parylene不仅可用作防护材料,而且也能作为结构层中的介电材料和掩膜材料使用,经Parylene涂敷过的集成电路芯片,其25um细直径连接线,连接强度可提高5-10倍。
Parylene能在0.2um厚时就完全没有针孔,5um时就能耐1000V以上直流击穿电压
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